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需要全新的激光劃片方法
劃片是晶圓切割的必要步驟。3D-Micromac的TLS-Dicing方法是一個兩步工藝，每次切割之前需要使用一個短脈沖燒蝕激光在切割跡道上生成初始劃線，從而產生裂紋。這種“干”劃片工藝產生的顆粒數量極低。第二步需要使用一個連續波激光沿著這條線對材料進行局部加熱，接著噴灑去離子水進行快速冷卻，實現對晶圓的切割。
為了提高切割的可靠性和平直度，可以在整個切割跡道上進行初始劃線。但這種“連續劃線”會產生很多顆粒，可能無法滿足要求嚴苛的特定碳化硅(SiC)應用的要求。為了解決這個問題，客戶此前需要降低劃片工藝的速度或者是在劃片之前對晶圓進行涂層，從而避免顆粒落到切割跡道上。但這個步驟會大幅增加工藝復雜性和成本。
3D-MICROMAC公布適用于碳化硅晶圓切割的CLEAN SCRIBE技術
3D-Micromac全新的Clean Scribe技術使用一項專利申請中的激光劃片工藝，能夠去除切割跡道上的聚酰亞胺和金屬顆粒，無需成本昂貴的涂層便能夠實現幾乎無顆粒的表面。Clean Scribe將“干”劃片方法替換成一個氣霧噴霧器，使用極少量的去離子水(低于20毫升/分鐘)沖洗掉激光加工步驟中產生的顆粒。由于TLS-Dicing在切割步驟中同樣使用去離子水和壓縮空氣，Clean Scribe無需額外增添系統或消耗品。與此同時，Clean Scribe能夠在確保產出率的情況下實現這些結果——讓晶圓切割速度能夠達到300毫米/秒。


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