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2. 半導體晶圓激光開槽
　　隨著芯片集成度的不斷提高，線寬越來越小，RC時延、串擾噪聲和功耗等成為嚴重的問題。在這樣的背景下LOW-K層被引入到了集成電路領域，當工藝線寬小于65nm時，必須使用LOW-K層以克服上訴問題。由于半導體工藝線寬不斷減小，臺積電已在研發建設9nm工藝線，低電介質絕緣薄膜的使用日益增多，low-k晶圓激光開槽設備逐步進入眾多晶圓封裝廠以滿足先進封裝的需求。
　　目前我司的激光開槽設備采用業內目前最新的π型分光加工方式，以確保較優的開槽效果。首先激光在需開槽區域兩側劃兩條線，再利用激光在兩條線中間開一個U型的槽，通過開槽將傳統刀輪難以處理的LOW-K層去除，然后刀輪從開槽區域切割或利用激光切割將芯片切割開。激光加工前需要涂覆保護液，開槽后利用二流體將保護液體清洗干凈，故加工過程中能夠很好的保護芯片其他區域。如圖5所示，為LOW-K晶圓開槽的表面效果圖和3D顯微鏡圖片。


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